창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFE55N50 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFE(55,50)N50 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 27.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFE55N50 | |
| 관련 링크 | IXFE5, IXFE55N50 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445A3XG13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XG13M00000.pdf | |
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![]() | MNR04MRAPJ470 | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 0804 | MNR04MRAPJ470.pdf | |
![]() | YL-P009 | YL-P009 ORIGINAL SMD or Through Hole | YL-P009.pdf | |
![]() | 22658292 | 22658292 HUBER&SUHNER ORIGINAL | 22658292.pdf | |
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![]() | MSA-1105-TR10 | MSA-1105-TR10 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSA-1105-TR10.pdf | |
![]() | BF364 | BF364 ORIGINAL CAN | BF364.pdf | |
![]() | N45153, | N45153, ORIGINAL SMD-16 | N45153,.pdf | |
![]() | HD6435348TF8 | HD6435348TF8 HITACHI QFP | HD6435348TF8.pdf |