창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXMN2A02N8TA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXMN2A02N8TA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 11A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | ZXMN2A02N8TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXMN2A02N8TA | |
관련 링크 | ZXMN2A0, ZXMN2A02N8TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D0R5DLXAP | 0.50pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R5DLXAP.pdf | |
![]() | VJ0402D2R2BXXAC | 2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2BXXAC.pdf | |
![]() | LP19BF23CDT | 19.6608MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP19BF23CDT.pdf | |
![]() | TNPW201043K0BEEF | RES SMD 43K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201043K0BEEF.pdf | |
![]() | RNF18FTD3R65 | RES 3.65 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD3R65.pdf | |
![]() | MMBT2369LT1 TEL:82766440 | MMBT2369LT1 TEL:82766440 ON SOT23-3 | MMBT2369LT1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 5082-1085 | 5082-1085 HP DO-35 | 5082-1085.pdf | |
![]() | ST9112DY | ST9112DY ORIGINAL SMD or Through Hole | ST9112DY.pdf | |
![]() | PT280048 | PT280048 ORIGINAL DIP | PT280048.pdf | |
![]() | BT456KM66 | BT456KM66 BT DIP | BT456KM66.pdf | |
![]() | KM41C4000AJ-6 | KM41C4000AJ-6 SAMSUNG SOJ20 | KM41C4000AJ-6.pdf | |
![]() | Z8530CMB | Z8530CMB ZILOG CDIP40 | Z8530CMB.pdf |