창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA22N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,H,P)22N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA22N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFA22, IXFA22N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216N-8451-B-T5 | RES SMD 8.45K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-8451-B-T5.pdf | |
![]() | MRS25000C1471FRP00 | RES 1.47K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1471FRP00.pdf | |
![]() | SDP8436-001 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | SDP8436-001.pdf | |
![]() | SPMWHT5606N2BAD0S0 | SPMWHT5606N2BAD0S0 SAMSUNG CHIPLED | SPMWHT5606N2BAD0S0.pdf | |
![]() | LT3560ES6 | LT3560ES6 LT SOT | LT3560ES6.pdf | |
![]() | TMDXEVMWIFI1808L | TMDXEVMWIFI1808L TI SMD or Through Hole | TMDXEVMWIFI1808L.pdf | |
![]() | HSMP3822#T31,L31 /HZ200E010A | HSMP3822#T31,L31 /HZ200E010A HP SOT23 | HSMP3822#T31,L31 /HZ200E010A.pdf | |
![]() | SST27SF010-70-3C-P | SST27SF010-70-3C-P SST DIP32P | SST27SF010-70-3C-P.pdf | |
![]() | MB3778PF-G-BND-HN-EF-KE1 | MB3778PF-G-BND-HN-EF-KE1 FUJITSU SOP16P | MB3778PF-G-BND-HN-EF-KE1.pdf | |
![]() | SM05B-PASS-TBT(LF)(NS) | SM05B-PASS-TBT(LF)(NS) JST SMD or Through Hole | SM05B-PASS-TBT(LF)(NS).pdf | |
![]() | FSA5157L6X TEL:82766440 | FSA5157L6X TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FSA5157L6X TEL:82766440.pdf |