창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA22N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,H,P)22N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA22N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFA22, IXFA22N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 9C25000588 | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 0°C ~ 80°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C25000588.pdf | |
![]() | CDEP85NP-5R6MC-88 | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 11.7 mOhm Max Nonstandard | CDEP85NP-5R6MC-88.pdf | |
![]() | MB3769PF-G-BND-TF | MB3769PF-G-BND-TF FUJITSU SOP16 | MB3769PF-G-BND-TF.pdf | |
![]() | ST230C18C1 | ST230C18C1 IR SMD or Through Hole | ST230C18C1.pdf | |
![]() | SI4312 | SI4312 SILICON QFN | SI4312.pdf | |
![]() | 9C12101211R0JLPFT | 9C12101211R0JLPFT YAGEO SMD | 9C12101211R0JLPFT.pdf | |
![]() | R1501S150B-TR-F | R1501S150B-TR-F RICOH HSOP-6J | R1501S150B-TR-F.pdf | |
![]() | EMC4002HZH-TR | EMC4002HZH-TR SMSC QFN | EMC4002HZH-TR.pdf | |
![]() | 664-A-2001B/D/BLF/DLF | 664-A-2001B/D/BLF/DLF BI SOP-8 | 664-A-2001B/D/BLF/DLF.pdf | |
![]() | BSM100GB120D2K | BSM100GB120D2K ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM100GB120D2K.pdf | |
![]() | S-074-0480 | S-074-0480 NO SMD or Through Hole | S-074-0480.pdf | |
![]() | RTQ035N03--TR-S-Z11 | RTQ035N03--TR-S-Z11 ROHM SMD or Through Hole | RTQ035N03--TR-S-Z11.pdf |