창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA16N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx16N50P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1515pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA16N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFA16, IXFA16N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C202G5GACTU | 2000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C202G5GACTU.pdf | |
![]() | T495D685K035ZTE300 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495D685K035ZTE300.pdf | |
![]() | 402F37422IJR | 37.4MHz ±20ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F37422IJR.pdf | |
![]() | SB3H100-E3/73 | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD | SB3H100-E3/73.pdf | |
![]() | CRGH2010F174R | RES SMD 174 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F174R.pdf | |
![]() | TNPW25122K49BETG | RES SMD 2.49K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25122K49BETG.pdf | |
![]() | STY9.1V | STY9.1V ST DIP | STY9.1V.pdf | |
![]() | Z0842004PSC-PIO | Z0842004PSC-PIO ZILOG DIP | Z0842004PSC-PIO.pdf | |
![]() | FH12-26S-0.5SH | FH12-26S-0.5SH HIROSE STOCK | FH12-26S-0.5SH.pdf | |
![]() | BRY61 | BRY61 NXP SOT-23 | BRY61.pdf | |
![]() | B82498F3561J000 | B82498F3561J000 EPCOS SMD | B82498F3561J000.pdf | |
![]() | 1061418191 1 | 1061418191 1 TI QFP-100 | 1061418191 1.pdf |