창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLZ34STRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ34(S,L),SiHFZ34(S,L) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 18A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLZ34STRL | |
관련 링크 | IRLZ34, IRLZ34STRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 3413.0224.24 | FUSE BOARD MNT 6.3A 32VAC 63VDC | 3413.0224.24.pdf | |
![]() | LX200-48S12-C | LX200-48S12-C ARTESYN SMD or Through Hole | LX200-48S12-C.pdf | |
![]() | PE-68664NL | PE-68664NL PULSE SMD or Through Hole | PE-68664NL.pdf | |
![]() | EH06001-RM-W | EH06001-RM-W FOXCONN SMD or Through Hole | EH06001-RM-W.pdf | |
![]() | PC724N | PC724N SHARP DIP | PC724N.pdf | |
![]() | 216M0SASA53 | 216M0SASA53 ATI BGA | 216M0SASA53.pdf | |
![]() | 1MBI200SH-140 | 1MBI200SH-140 FUJI IGBT | 1MBI200SH-140.pdf | |
![]() | MR112112A100VRECTIFIERDO-4MATEL | MR112112A100VRECTIFIERDO-4MATEL ORIGINAL SMD or Through Hole | MR112112A100VRECTIFIERDO-4MATEL.pdf | |
![]() | BBD-106-G-A | BBD-106-G-A SAMTEC ORIGINAL | BBD-106-G-A.pdf | |
![]() | 1814403-4 | 1814403-4 ORIGINAL NEW | 1814403-4.pdf | |
![]() | NCV8509 | NCV8509 ON SOP-16 | NCV8509.pdf | |
![]() | TSK1A475ASSR | TSK1A475ASSR PARTSNIC 2KR | TSK1A475ASSR.pdf |