창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLU110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR110, IRLU110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRLU110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLU110 | |
| 관련 링크 | IRLU, IRLU110 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | IHSM4825PJ121L | 120µH Unshielded Inductor 660mA 735 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825PJ121L.pdf | |
![]() | MCT06030D9101BP500 | RES SMD 9.1K OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D9101BP500.pdf | |
![]() | CMF5518K400BEEA70 | RES 18.4K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5518K400BEEA70.pdf | |
![]() | CPC7581BA | CPC7581BA cs SOP16 | CPC7581BA.pdf | |
![]() | 1206CG8R0C500NT | 1206CG8R0C500NT FH/ 1206 | 1206CG8R0C500NT.pdf | |
![]() | GRM1555C1H131GA01B | GRM1555C1H131GA01B muRata SMD or Through Hole | GRM1555C1H131GA01B.pdf | |
![]() | RTVSD-124FJZ33V-S- | RTVSD-124FJZ33V-S- RALTRON SMD or Through Hole | RTVSD-124FJZ33V-S-.pdf | |
![]() | EM78F652ND20J | EM78F652ND20J EMC SMD or Through Hole | EM78F652ND20J.pdf | |
![]() | CP3SP33SMRX/NOPB | CP3SP33SMRX/NOPB NS SO | CP3SP33SMRX/NOPB.pdf | |
![]() | 346-43-108-41-013000 | 346-43-108-41-013000 MILL-MAX SMD or Through Hole | 346-43-108-41-013000.pdf | |
![]() | G6H-2 DC5 | G6H-2 DC5 OMRON SMD or Through Hole | G6H-2 DC5.pdf |