창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLHS2242TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLHS22422PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLHS2242TR2PBF Saber Model IRLHS2242TR2PBF Spice Model | |
주요제품 | PQFN 2x2 Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta), 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 8.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 877pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-PQFN(2x2) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRLHS2242TRPBFTR SP001568502 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLHS2242TRPBF | |
관련 링크 | IRLHS224, IRLHS2242TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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THJC475K035RJN | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 2.2 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | THJC475K035RJN.pdf | ||
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![]() | HA17432HUPTL-E | HA17432HUPTL-E RENESAS/HITACHI SOT-89 | HA17432HUPTL-E.pdf | |
![]() | B1179BS-3R9N | B1179BS-3R9N TOKO SMD | B1179BS-3R9N.pdf | |
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![]() | FA10810_LC1-D | FA10810_LC1-D LEDILOY SMD or Through Hole | FA10810_LC1-D.pdf | |
![]() | MAX4903EBL+T | MAX4903EBL+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX4903EBL+T.pdf |