창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL630SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL630S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 5.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRL630SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL630SPBF | |
| 관련 링크 | IRL630, IRL630SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ATV50C131J-HF | TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB | ATV50C131J-HF.pdf | |
![]() | CRCW060310R0JNEAHP | RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW060310R0JNEAHP.pdf | |
![]() | RN73C1J8K45BTDF | RES SMD 8.45KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J8K45BTDF.pdf | |
![]() | DP11SVN15A30F | DP11S VER 15P NDET 30F M7*5MM | DP11SVN15A30F.pdf | |
![]() | C3216Z5U1E224MT200NTD | C3216Z5U1E224MT200NTD TDK 1206 | C3216Z5U1E224MT200NTD.pdf | |
![]() | AM9590-15LC | AM9590-15LC AMD SMD or Through Hole | AM9590-15LC.pdf | |
![]() | MC1014FN | MC1014FN MOTOROLA SMD | MC1014FN.pdf | |
![]() | LPC1758FBD80.551 | LPC1758FBD80.551 NXP SMD or Through Hole | LPC1758FBD80.551.pdf | |
![]() | A558 | A558 ORIGINAL SMD or Through Hole | A558.pdf | |
![]() | 01C1501JP | 01C1501JP VISHAY DIP | 01C1501JP.pdf | |
![]() | UC-80359 | UC-80359 ANDO SMD or Through Hole | UC-80359.pdf | |
![]() | H4517777 | H4517777 HAR SOP | H4517777.pdf |