Infineon Technologies IRFU4105ZPBF

IRFU4105ZPBF
제조업체 부품 번호
IRFU4105ZPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
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내부 부품 번호EIS-IRFU4105ZPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFR4105Z Saber Model
IRFR4105Z Spice Model
PCN 설계/사양Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Assembly Site Addition 30/Jun/2014
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1515 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs24.5m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds740pF @ 25V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지IPAK(TO-251)
표준 포장 75
다른 이름*IRFU4105ZPBF
SP001552434
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFU4105ZPBF
관련 링크IRFU410, IRFU4105ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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