창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL31N20DTRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2370pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL31N20DTRR | |
| 관련 링크 | IRFSL31N, IRFSL31N20DTRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C430GDCNCNC | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C430GDCNCNC.pdf | |
| 223MWR152KD | 0.022µF Film Capacitor 300V 1500V (1.5kV) Polyester, Metallized Axial 0.374" Dia x 0.807" L (9.50mm x 20.50mm) | 223MWR152KD.pdf | ||
![]() | FXO-HC335-66.666 | 66.666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC335-66.666.pdf | |
![]() | 2-1423165-2 | RELAY TIME DELAY | 2-1423165-2.pdf | |
![]() | MBA02040C5111FCT00 | RES 5.11K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C5111FCT00.pdf | |
![]() | BQ3285LCS | BQ3285LCS BENCHMARQ SOP-24 | BQ3285LCS.pdf | |
![]() | NL201218-330JNT | NL201218-330JNT TDK 0805-33U | NL201218-330JNT.pdf | |
![]() | M1X01-12 | M1X01-12 ORIGINAL SOJ40 | M1X01-12.pdf | |
![]() | CLH2012T-1N5S-S | CLH2012T-1N5S-S Chilisin SMD or Through Hole | CLH2012T-1N5S-S.pdf | |
![]() | P66D | P66D MITSUMI SOT23-6 | P66D.pdf | |
![]() | 5455/BEAJC | 5455/BEAJC TI CDIP | 5455/BEAJC.pdf |