창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS38N20DTRRP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)38N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001565034 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS38N20DTRRP | |
관련 링크 | IRFS38N2, IRFS38N20DTRRP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
101X193U030AH1B | ALUM-SCREW TERMINAL | 101X193U030AH1B.pdf | ||
AVEK337M06F24T-F | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.5 Ohm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | AVEK337M06F24T-F.pdf | ||
MCH155A5R1DK | 5.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | MCH155A5R1DK.pdf | ||
RNF14FAD47K0 | RES 47K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD47K0.pdf | ||
MK120-120-1% | MK120-120-1% CADDOCK SMD or Through Hole | MK120-120-1%.pdf | ||
MN15287KWED | MN15287KWED ORIGINAL DIP | MN15287KWED.pdf | ||
BL0935 | BL0935 BL DIP22 | BL0935.pdf | ||
K7M-DR10UE | K7M-DR10UE LS SMD or Through Hole | K7M-DR10UE.pdf | ||
CRCW20101003FRT1 | CRCW20101003FRT1 VISHAY SMD | CRCW20101003FRT1.pdf | ||
CB-R8BF | CB-R8BF ORIGINAL SMD or Through Hole | CB-R8BF.pdf | ||
HD64F2352F20 | HD64F2352F20 RENESAS QFP-128 | HD64F2352F20.pdf |