창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9120NTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)9120NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR9120NTRPBF Saber Model IRFR9120NTRPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001576108 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR9120NTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR9120N, IRFR9120NTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B88069X9991T203 | GDT 90V 2KA SURFACE MOUNT | B88069X9991T203.pdf | |
![]() | 416F26022ALT | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022ALT.pdf | |
![]() | RT0402FRD07768RL | RES SMD 768 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD07768RL.pdf | |
![]() | AMS1083-3.3 | AMS1083-3.3 AMS TO-220 | AMS1083-3.3.pdf | |
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![]() | 22R140 | 22R140 AEG DO-4 | 22R140.pdf | |
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![]() | SC85204GW | SC85204GW MOT DIP40 | SC85204GW.pdf | |
![]() | E1L32XSR | E1L32XSR ORIGINAL AYQFP | E1L32XSR.pdf | |
![]() | MC68307CFG16 | MC68307CFG16 ORIGINAL QFP | MC68307CFG16.pdf |