창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR9014TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9014 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR9014PBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR9014TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR901, IRFR9014TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5526R700DHEB | RES 26.7 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5526R700DHEB.pdf | |
![]() | LUWCQDP-LPLR-5E8G-1 | LUWCQDP-LPLR-5E8G-1 OSRAM SMD or Through Hole | LUWCQDP-LPLR-5E8G-1.pdf | |
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![]() | AO3401 NOPB | AO3401 NOPB AOS SOT23 | AO3401 NOPB.pdf | |
![]() | PMB6720FV1.422 V2.0 | PMB6720FV1.422 V2.0 infineon SMD or Through Hole | PMB6720FV1.422 V2.0.pdf | |
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![]() | KMH6.3VSSN39000M35BE0 | KMH6.3VSSN39000M35BE0 Chemi-con NA | KMH6.3VSSN39000M35BE0.pdf | |
![]() | IN823A | IN823A MIC SC70-5 | IN823A.pdf | |
![]() | UFG2A3R3MDE1TD | UFG2A3R3MDE1TD NICHICON DIP | UFG2A3R3MDE1TD.pdf |