창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP7718PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP7718PbF | |
| 주요제품 | IR - StrongIRFET™ Through-hole Power MOSFETs | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 830nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 29550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 517W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001571038 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP7718PBF | |
| 관련 링크 | IRFP77, IRFP7718PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | IXBT42N300HV | IGBT 3000V 42A 357W TO268 | IXBT42N300HV.pdf | |
![]() | LT5400BCMS8E-4#PBF | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8TSSOP | LT5400BCMS8E-4#PBF.pdf | |
![]() | 22J18RE | RES 18 OHM 2W 5% AXIAL | 22J18RE.pdf | |
![]() | CMF5543K200FHEK | RES 43.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5543K200FHEK.pdf | |
![]() | NVG6TLTA-B1K | NVG6TLTA-B1K HDK SMD or Through Hole | NVG6TLTA-B1K.pdf | |
![]() | 4416P-1-200LF | 4416P-1-200LF BOURNS DIP | 4416P-1-200LF.pdf | |
![]() | PE-65778 | PE-65778 DIP PULSE | PE-65778.pdf | |
![]() | C3225Y5V1H222ZT | C3225Y5V1H222ZT TDK SMD or Through Hole | C3225Y5V1H222ZT.pdf | |
![]() | QG/NQ82915GMS | QG/NQ82915GMS INTEL BGA | QG/NQ82915GMS.pdf | |
![]() | UUG1V102MNL6ZD | UUG1V102MNL6ZD nichicon SMD-2 | UUG1V102MNL6ZD.pdf | |
![]() | LP38853SX-ADJ | LP38853SX-ADJ NSC TO-263 | LP38853SX-ADJ.pdf |