창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFL9110TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFL9110 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 660mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IRFL9110PBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFL9110TRPBF | |
관련 링크 | IRFL911, IRFL9110TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | GW KAHLB1.EM-TRTS-35S3 | SOLERIQ S 19 3500K | GW KAHLB1.EM-TRTS-35S3.pdf | |
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![]() | T1010NL | T1010NL PULSE SMD or Through Hole | T1010NL.pdf | |
![]() | CDC5801DBQR | CDC5801DBQR TI SSOP | CDC5801DBQR.pdf | |
![]() | 3186EG122T500APA1 | 3186EG122T500APA1 CDE DIP | 3186EG122T500APA1.pdf | |
![]() | APL6535BI-PBL | APL6535BI-PBL ORIGINAL SOT3-5 | APL6535BI-PBL.pdf | |
![]() | MAX4583 | MAX4583 MAX SOP16 | MAX4583.pdf | |
![]() | MCR01 MZP J 392 | MCR01 MZP J 392 ROHM PB-FREE | MCR01 MZP J 392.pdf | |
![]() | LB11882J-MPB-E | LB11882J-MPB-E SANYO HSOP48 | LB11882J-MPB-E.pdf |