창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFI4227PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFI4227PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4227PBF Saber Model IRFI4227PBF Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | Alternate Mold Compound 02/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 46W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001564096 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFI4227PBF | |
| 관련 링크 | IRFI42, IRFI4227PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C4R7BBANNND | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C4R7BBANNND.pdf | |
![]() | SMBJ4749AE3/TR13 | DIODE ZENER 24V 2W SMBJ | SMBJ4749AE3/TR13.pdf | |
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![]() | SC65SB | SC65SB MOT TSSOP | SC65SB.pdf | |
![]() | HJR1-2C L-12V | HJR1-2C L-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | HJR1-2C L-12V.pdf | |
![]() | L-PA753908LXA2-CT | L-PA753908LXA2-CT N/A BGA | L-PA753908LXA2-CT.pdf | |
![]() | MKA35VC4R7MD55TP | MKA35VC4R7MD55TP NCC SMD or Through Hole | MKA35VC4R7MD55TP.pdf | |
![]() | PSMA6J14A | PSMA6J14A plextronsemi SMA | PSMA6J14A.pdf | |
![]() | OPA820IDB | OPA820IDB BB/TI SOT23-5 | OPA820IDB.pdf |