창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7194TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH7194PbF | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | FASTIRFET™, HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.4m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 733pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001556424 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH7194TRPBF | |
관련 링크 | IRFH719, IRFH7194TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UHW1V681MPD | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHW1V681MPD.pdf | ||
SR072A220KARTR1 | 22pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR072A220KARTR1.pdf | ||
TCE1210U-120-2P | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 12 Ohm @ 100MHz 100mA DCR 700 mOhm | TCE1210U-120-2P.pdf | ||
RCL0406620KJNEA | RES SMD 620K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL0406620KJNEA.pdf | ||
AISM-2220-6R8 | AISM-2220-6R8 Abracon NA | AISM-2220-6R8.pdf | ||
M5637A1G/ALI | M5637A1G/ALI ALI SMD or Through Hole | M5637A1G/ALI.pdf | ||
IT6206-3.0(SOT-23) | IT6206-3.0(SOT-23) IT DIP | IT6206-3.0(SOT-23).pdf | ||
SPF-2076T-TR1 | SPF-2076T-TR1 RFMD SMD or Through Hole | SPF-2076T-TR1.pdf | ||
SC251BX245 | SC251BX245 ORIGINAL SMD or Through Hole | SC251BX245.pdf | ||
MBM29LV800BE | MBM29LV800BE FUJI SMD or Through Hole | MBM29LV800BE.pdf | ||
SG-51PH-40.0MHZ | SG-51PH-40.0MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG-51PH-40.0MHZ.pdf | ||
NMH4812DC | NMH4812DC Murata SIP7 | NMH4812DC.pdf |