창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH7194TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH7194PbF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | FASTIRFET™, HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.4m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 733pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001556424 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH7194TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH719, IRFH7194TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CM322522-220JL | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 105mA 3.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | CM322522-220JL.pdf | |
![]() | CL233X 100V223K | CL233X 100V223K ORIGINAL SMD or Through Hole | CL233X 100V223K.pdf | |
![]() | TC9803FW | TC9803FW TOSHIBA SOP-7.2-20P | TC9803FW.pdf | |
![]() | VI-JWY-IY | VI-JWY-IY VICOR SMD or Through Hole | VI-JWY-IY.pdf | |
![]() | S2B T/R | S2B T/R Panjit Tape | S2B T/R.pdf | |
![]() | RA4L-24LW-K | RA4L-24LW-K TAKAMISAWA DIP-SOP | RA4L-24LW-K.pdf | |
![]() | 135-139-002 | 135-139-002 ORIGINAL SOP | 135-139-002.pdf | |
![]() | AD578ZSD | AD578ZSD AD DIP | AD578ZSD.pdf | |
![]() | WD25-110D05 | WD25-110D05 MAX SMD or Through Hole | WD25-110D05.pdf | |
![]() | 150-29.0-10.1-3.0-15.9-024-50-NYU | 150-29.0-10.1-3.0-15.9-024-50-NYU WEITRONIC SMD or Through Hole | 150-29.0-10.1-3.0-15.9-024-50-NYU.pdf | |
![]() | GRM44-1X5R107M | GRM44-1X5R107M MURATA 2220 | GRM44-1X5R107M.pdf |