창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH4253DTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH4253DPbF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
| 주요제품 | 25 V FastIRFET™ Family of Dual Power MOSFETs in Power Block PQFN Package | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A, 145A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1314pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 31W, 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRFH4253DTRPBFTR SP001556246 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH4253DTRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH4253, IRFH4253DTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | ELC11D180F | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 3.1A 37 mOhm Radial, Vertical Cylinder | ELC11D180F.pdf | |
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![]() | ADXL313WACPZ-RL7 | Accelerometer X, Y, Z Axis ±0.5g, 1g, 2g, 4g 3.125Hz ~ 1.6kHz 32-LFCSP-LQ (5x5) | ADXL313WACPZ-RL7.pdf | |
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![]() | LT6005IDHC#TRPBF | LT6005IDHC#TRPBF LT SMD or Through Hole | LT6005IDHC#TRPBF.pdf | |
![]() | 3CX204 | 3CX204 CHINA SMD or Through Hole | 3CX204.pdf | |
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