창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBE20STRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBE20 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 54W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBE20STRL | |
| 관련 링크 | IRFBE2, IRFBE20STRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385662016JYP5T0 | 62µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | MKP385662016JYP5T0.pdf | |
![]() | CRGH0805F24R9 | RES SMD 24.9 OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F24R9.pdf | |
![]() | MT3300044A30 | MT3300044A30 MT SMD | MT3300044A30.pdf | |
![]() | A914BYW-4R7M=P3 | A914BYW-4R7M=P3 TOKO SMD or Through Hole | A914BYW-4R7M=P3.pdf | |
![]() | TMS57300AGDTR | TMS57300AGDTR TI TCP | TMS57300AGDTR.pdf | |
![]() | MAX757 | MAX757 MAXIM SMD or Through Hole | MAX757.pdf | |
![]() | CBCR81 | CBCR81 CBCR SOP-28 | CBCR81.pdf | |
![]() | CG24942. | CG24942. FUJITSU QFP80 | CG24942..pdf | |
![]() | XC2C64VQ100 | XC2C64VQ100 TI QFP | XC2C64VQ100.pdf | |
![]() | CHAV0016j15300000400 | CHAV0016j15300000400 NISSEI PANA-ECHU1C153 | CHAV0016j15300000400.pdf | |
![]() | MC1661LD | MC1661LD MOT CDIP | MC1661LD.pdf |