창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC40ASTRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC40AS, SiHFBC40AS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1036pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC40ASTRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC40AS, IRFBC40ASTRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E5R6CA03L | 5.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E5R6CA03L.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-12.000MHZ-XC-E-T | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-12.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | 7022ND | RELAY TIME DELAY | 7022ND.pdf | |
![]() | ERJ-S06F1023V | RES SMD 102K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F1023V.pdf | |
![]() | MCU08050D1581BP100 | RES SMD 1.58K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D1581BP100.pdf | |
![]() | CW02B180R0JE12HS | RES 180 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B180R0JE12HS.pdf | |
![]() | PWD-5517-02-NNN-79 | RF Power Divider 12.4GHz ~ 18GHz Isolation (Min) 20dB Module | PWD-5517-02-NNN-79.pdf | |
![]() | CEP76138 | CEP76138 CET TO2203 | CEP76138.pdf | |
![]() | VUO34-02NO1 | VUO34-02NO1 IXYS SMD or Through Hole | VUO34-02NO1.pdf | |
![]() | E28F008S5-100 | E28F008S5-100 INTEL TSSOP40 | E28F008S5-100.pdf |