창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC40ASTRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC40AS, SiHFBC40AS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1036pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC40ASTRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC40AS, IRFBC40ASTRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BE20GP6CX335 | BE20GP6CX335 ST QFP-100 | BE20GP6CX335.pdf | |
![]() | HMK212BJ223KG-T | HMK212BJ223KG-T TAIYO SMD or Through Hole | HMK212BJ223KG-T.pdf | |
![]() | DS25CP104TSQ | DS25CP104TSQ NationalSemiconductor LLP | DS25CP104TSQ.pdf | |
![]() | PCD003-ZE105HXL | PCD003-ZE105HXL RYW SMD or Through Hole | PCD003-ZE105HXL.pdf | |
![]() | IRF6729L2PBF | IRF6729L2PBF IR SMD or Through Hole | IRF6729L2PBF.pdf | |
![]() | aqv212sj | aqv212sj panasonicelectricworks SMD or Through Hole | aqv212sj.pdf | |
![]() | AGLN250V5-ZVQ100I | AGLN250V5-ZVQ100I ACTEL SMD or Through Hole | AGLN250V5-ZVQ100I.pdf | |
![]() | HB-1S2012-400JT | HB-1S2012-400JT ORIGINAL SMD or Through Hole | HB-1S2012-400JT.pdf | |
![]() | RV-2409D | RV-2409D RECOM DIP24 | RV-2409D.pdf | |
![]() | CP2217 | CP2217 CP CP2217 | CP2217.pdf | |
![]() | ZM4745A-13 | ZM4745A-13 GENERALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | ZM4745A-13.pdf |