창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBC40ASTRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFBC40AS, SiHFBC40AS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1036pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFBC40ASTRRPBF | |
관련 링크 | IRFBC40AS, IRFBC40ASTRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SR301A153KAR | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR301A153KAR.pdf | ||
T86D107K6R3EBAL | 100µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 350 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D107K6R3EBAL.pdf | ||
VF30100SG-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB | VF30100SG-E3/4W.pdf | ||
SIHG47N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | SIHG47N60E-E3.pdf | ||
RAVF104DJT820R | RES ARRAY 4 RES 820 OHM 0804 | RAVF104DJT820R.pdf | ||
APL3200QBI-TRG | APL3200QBI-TRG ANPEC TQFN4X4-16 | APL3200QBI-TRG.pdf | ||
K4T1163QG-HCE6 | K4T1163QG-HCE6 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4T1163QG-HCE6.pdf | ||
TE28F256J3C125 S L7J | TE28F256J3C125 S L7J ST SMD or Through Hole | TE28F256J3C125 S L7J.pdf | ||
RAV14204 | RAV14204 ORIGINAL SMD or Through Hole | RAV14204.pdf | ||
TK11050MTL-GH | TK11050MTL-GH AKM SOT6 | TK11050MTL-GH.pdf | ||
SK56 T/R 7 | SK56 T/R 7 PANJIT SMD or Through Hole | SK56 T/R 7.pdf | ||
50ME4R7PX | 50ME4R7PX SANYO DIP | 50ME4R7PX.pdf |