- RD412ATTE4R7J

RD412ATTE4R7J
제조업체 부품 번호
RD412ATTE4R7J
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 1
간단한 설명
RD412ATTE4R7J KOA SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
RD412ATTE4R7J 가격 및 조달

가능 수량

44340 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RD412ATTE4R7J 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. RD412ATTE4R7J 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RD412ATTE4R7J가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RD412ATTE4R7J 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RD412ATTE4R7J 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RD412ATTE4R7J
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈RD412ATTE4R7J
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) RD412ATTE4R7J
관련 링크RD412AT, RD412ATTE4R7J 데이터 시트, - 에이전트 유통
RD412ATTE4R7J 의 관련 제품
220pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7S 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C3216X7S3D221K085AA.pdf
RF TRANSISTOR NPN SOT-23 NE68133-T1B-R33-A.pdf
6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 300 mOhm 1007 (2518 Metric) LBC2518T6R8M.pdf
180µH Unshielded Wirewound Inductor 102mA 9.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) IMC1812ES181J.pdf
RES MO 1W 604 OHM 1% AXIAL RSF1FT604R.pdf
IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) SI4421-A0-FT.pdf
LED 드라이버 IC 4 출력 선형 PWM 조광 175mA 8-TDFN(2x3) CAT4104VP2-GT3.pdf
AR3640-66 FSC DIP-16L AR3640-66.pdf
BS1FC5-28TL1T Y-CONNECT SMD or Through Hole BS1FC5-28TL1T.pdf
TLGU50T(F) TOSHIBA DIP TLGU50T(F).pdf
LTC5530ES6(LBDX) LINEAR SMD or Through Hole LTC5530ES6(LBDX).pdf
DM8834N NS DIP DM8834N.pdf