창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4227PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4227PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4227PBF Saber Model IRFB4227PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001565892 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4227PBF | |
관련 링크 | IRFB42, IRFB4227PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C0603C0G1E680J030BA | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E680J030BA.pdf | |
![]() | CRGH0603F169R | RES SMD 169 OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F169R.pdf | |
![]() | Y1169560R000T9R | RES SMD 560OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y1169560R000T9R.pdf | |
![]() | 20N36G | 20N36G FAIRCHILD TO-263 | 20N36G.pdf | |
![]() | LM2574N-12.0 | LM2574N-12.0 NS DIP8 | LM2574N-12.0.pdf | |
![]() | SAA7111AHZ* | SAA7111AHZ* PHI SOP | SAA7111AHZ*.pdf | |
![]() | SM564083574NWAA | SM564083574NWAA SMART SMD or Through Hole | SM564083574NWAA.pdf | |
![]() | 72012-008 | 72012-008 ORIGINAL SMD or Through Hole | 72012-008.pdf | |
![]() | 42TM009-RC | 42TM009-RC DODGEINSERTS SMD or Through Hole | 42TM009-RC.pdf | |
![]() | LM9013G | LM9013G MOTOROLA TO-92 | LM9013G.pdf | |
![]() | SBR1U400P1 | SBR1U400P1 ZETEXDIODES POWERDI123 | SBR1U400P1.pdf |