창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z30PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z30PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9Z30PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z30PBF | |
관련 링크 | IRF9Z3, IRF9Z30PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | SIT9001AI-84-33D5-65.53600T | OSC XO 3.3V 65.536MHZ SD -1.0% | SIT9001AI-84-33D5-65.53600T.pdf | |
![]() | LQW15AN5N4B80D | 5.4nH Unshielded Wirewound Inductor 1.77A 40 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN5N4B80D.pdf | |
![]() | RG1608N-5621-D-T5 | RES SMD 5.62KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-5621-D-T5.pdf | |
![]() | PTN1206E1332BST1 | RES SMD 13.3K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1332BST1.pdf | |
![]() | CRA04S08318R0JTD | RES ARRAY 4 RES 18 OHM 0804 | CRA04S08318R0JTD.pdf | |
![]() | B32335B5040E53 | B32335B5040E53 EPCOS SMD or Through Hole | B32335B5040E53.pdf | |
![]() | 130721DV9095H1 | 130721DV9095H1 HARRIS PLCC | 130721DV9095H1.pdf | |
![]() | PI7C9X-20508GPBNDE | PI7C9X-20508GPBNDE PERICOM BGA | PI7C9X-20508GPBNDE.pdf | |
![]() | ST95040W6 | ST95040W6 ST DIP-8 | ST95040W6.pdf | |
![]() | TLC2264C/I | TLC2264C/I TI SOP14 | TLC2264C/I.pdf | |
![]() | 2SK1447,2SK1446,2SK1445,2SK1443 | 2SK1447,2SK1446,2SK1445,2SK1443 SANYO SMD or Through Hole | 2SK1447,2SK1446,2SK1445,2SK1443.pdf |