창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9620STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9620S, SiHF9620S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9620STRR | |
| 관련 링크 | IRF962, IRF9620STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0225C1E6R1CA03L | 6.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E6R1CA03L.pdf | |
![]() | AT0603CRD0745R3L | RES SMD 45.3OHM 0.25% 1/10W 0603 | AT0603CRD0745R3L.pdf | |
![]() | PAT0603E4641BST1 | RES SMD 4.64KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E4641BST1.pdf | |
![]() | 40J68R | RES 68 OHM 10W 5% AXIAL | 40J68R.pdf | |
![]() | EM91401DK | EM91401DK EMC SMD or Through Hole | EM91401DK.pdf | |
![]() | 74HC688DR | 74HC688DR STM SMD or Through Hole | 74HC688DR.pdf | |
![]() | SNC1S21GVF PCI4510RGVF | SNC1S21GVF PCI4510RGVF TEXAS BGA-224 | SNC1S21GVF PCI4510RGVF.pdf | |
![]() | 74LS148N | 74LS148N TI/HIT DIP | 74LS148N.pdf | |
![]() | SN74LS06BDR | SN74LS06BDR TI SSOP | SN74LS06BDR.pdf | |
![]() | LD2764A-40 | LD2764A-40 INTEL/REI DIP | LD2764A-40.pdf | |
![]() | CF42W5R102M200 | CF42W5R102M200 KYOCERA SMD or Through Hole | CF42W5R102M200.pdf | |
![]() | MDD95A06N | MDD95A06N SIEMENS SMD or Through Hole | MDD95A06N.pdf |