창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9610STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9610S, SiHF9610S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 900mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9610STRR | |
| 관련 링크 | IRF961, IRF9610STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CMF605K9000FHEA | RES 5.9K OHM 1W 1% AXIAL | CMF605K9000FHEA.pdf | |
![]() | NTD6N10E | NTD6N10E ON SMD or Through Hole | NTD6N10E.pdf | |
![]() | MT9P001 | MT9P001 OV CLCC48 | MT9P001.pdf | |
![]() | ADCON | ADCON NS DIP8 | ADCON.pdf | |
![]() | FSP2200CAER | FSP2200CAER FSP SOT23-3 | FSP2200CAER.pdf | |
![]() | ES1J_NL | ES1J_NL FSC SMA | ES1J_NL.pdf | |
![]() | 2SK1646-5 | 2SK1646-5 SANYO SMD or Through Hole | 2SK1646-5.pdf | |
![]() | A274041 | A274041 THAHAND DIP | A274041.pdf | |
![]() | W78E518BP-40 | W78E518BP-40 WINBOND PLCC44 | W78E518BP-40.pdf | |
![]() | FP6329 | FP6329 PITIPOWE SOP8 | FP6329.pdf | |
![]() | K7J1616882B-FC25000 | K7J1616882B-FC25000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7J1616882B-FC25000.pdf | |
![]() | LR378161 | LR378161 SHARP QFP | LR378161.pdf |