창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9610STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9610S, SiHF9610S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 900mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9610STRR | |
| 관련 링크 | IRF961, IRF9610STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X7R2J222M115AE | 2200pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R2J222M115AE.pdf | |
![]() | 6609067-7 | FILTER 3-PHASE RFI PWR 150A 95MM | 6609067-7.pdf | |
![]() | TCR0805N300K | RES SMD 300K OHM 1/10W 0805 | TCR0805N300K.pdf | |
![]() | SM2615JT68R0 | RES SMD 68 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JT68R0.pdf | |
![]() | SF4B-H36G(V2) | SAFETY LITE CURTAIN HAND 724MM | SF4B-H36G(V2).pdf | |
![]() | PEB2084V1.4 | PEB2084V1.4 INFINEON QFP-44P | PEB2084V1.4.pdf | |
![]() | KTY82/220-T | KTY82/220-T NXP SMD or Through Hole | KTY82/220-T.pdf | |
![]() | 121073-6754 | 121073-6754 CAN SMD or Through Hole | 121073-6754.pdf | |
![]() | AD800-9 | AD800-9 SILICON-SENSOR TO52S1TO52S2 | AD800-9.pdf | |
![]() | CDR74BNP-120M | CDR74BNP-120M SUMIDA SMD or Through Hole | CDR74BNP-120M.pdf | |
![]() | 2SC3191 | 2SC3191 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC3191.pdf | |
![]() | TVSS36VESGP | TVSS36VESGP chenmko SC-79 | TVSS36VESGP.pdf |