Infineon Technologies IRF9335PBF

IRF9335PBF
제조업체 부품 번호
IRF9335PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SO
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내부 부품 번호EIS-IRF9335PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF9335PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF9335PBF Saber Model
IRF9335PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs59m옴 @ 5.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 10µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds386pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 95
다른 이름SP001565718
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRF9335PBF
관련 링크IRF933, IRF9335PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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