창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9335PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9335PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF9335PBF Saber Model IRF9335PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 5.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 386pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001565718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9335PBF | |
관련 링크 | IRF933, IRF9335PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | PAT0805E7870BST1 | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E7870BST1.pdf | |
![]() | RP73D2A8R06BTG | RES SMD 8.06 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A8R06BTG.pdf | |
![]() | 2DW2923 | 2DW2923 ORIGINAL CAN3 | 2DW2923.pdf | |
![]() | GD74HC08N | GD74HC08N LG DIP | GD74HC08N.pdf | |
![]() | XC88002H | XC88002H ON SOIC-16W | XC88002H.pdf | |
![]() | BFR740L3RH-E6327 | BFR740L3RH-E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BFR740L3RH-E6327.pdf | |
![]() | LYE675-V1-4-3-50 1210-OY 4P | LYE675-V1-4-3-50 1210-OY 4P ORIGINAL 1210 SMD | LYE675-V1-4-3-50 1210-OY 4P.pdf |