창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN110N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN110N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 245nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 625715 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN110N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFN110, IXFN110N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MM3Z3V0B | DIODE ZENER 3V 200MW SOD323F | MM3Z3V0B.pdf | |
![]() | NFM18CC471R1C3D | 470pF Feed Through Capacitor 16V 500mA 300 mOhm 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad | NFM18CC471R1C3D.pdf | |
![]() | HSA5330RF | RES CHAS MNT 330 OHM 1% 10W | HSA5330RF.pdf | |
![]() | RT0402DRD07100RL | RES SMD 100 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD07100RL.pdf | |
![]() | Y1746275R000B9L | RES SMD 275 OHM 0.1% 0.6W J LEAD | Y1746275R000B9L.pdf | |
![]() | S1803A-24.5760(T) | S1803A-24.5760(T) ORIGINAL SMD or Through Hole | S1803A-24.5760(T).pdf | |
![]() | TAS5130D1B | TAS5130D1B TASC CLCC | TAS5130D1B.pdf | |
![]() | ARDENT-C9C1-790UK | ARDENT-C9C1-790UK AGERE QFP | ARDENT-C9C1-790UK.pdf | |
![]() | CLA4B102KB8NnnE | CLA4B102KB8NnnE samsung SMD or Through Hole | CLA4B102KB8NnnE.pdf | |
![]() | SLA20208-047 | SLA20208-047 ORIGINAL SMD or Through Hole | SLA20208-047.pdf | |
![]() | PMI2143 | PMI2143 PMI SOP8 | PMI2143.pdf | |
![]() | G5G-1A DC12V | G5G-1A DC12V OMRON SMD or Through Hole | G5G-1A DC12V.pdf |