창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF830BPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TO-220AB Package Drawing IRF830B | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF830BPBF | |
| 관련 링크 | IRF830, IRF830BPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AQ147A100GAJME | 10pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A100GAJME.pdf | |
![]() | SN74247 | SN74247 TI DIP16 | SN74247.pdf | |
![]() | R388-HE9801 | R388-HE9801 GRX-R DIP-16 | R388-HE9801.pdf | |
![]() | ACT355/MXT35 | ACT355/MXT35 ACTIVE-SEMI SOT23-5 | ACT355/MXT35.pdf | |
![]() | 2SD1620S-TC | 2SD1620S-TC SANYO SOT-89 | 2SD1620S-TC.pdf | |
![]() | APDS-9004-020 | APDS-9004-020 AVAGO 4-pinsChipledpacka | APDS-9004-020.pdf | |
![]() | XRQM443ADI | XRQM443ADI EXAR CDIP | XRQM443ADI.pdf | |
![]() | 65863-073 | 65863-073 FCI con | 65863-073.pdf | |
![]() | RVG4J03-304VM-TG | RVG4J03-304VM-TG MURATA REF | RVG4J03-304VM-TG.pdf | |
![]() | 914382/0000 | 914382/0000 N/A SMD or Through Hole | 914382/0000.pdf | |
![]() | LP311H | LP311H ORIGINAL SMD or Through Hole | LP311H.pdf | |
![]() | MIC3000GIP1 | MIC3000GIP1 MICREL BGA | MIC3000GIP1.pdf |