창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF820ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF820ASPBF, ALPBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF820ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF820ASPBF | |
| 관련 링크 | IRF820, IRF820ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| URS1H102MHD1TN | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URS1H102MHD1TN.pdf | ||
![]() | T65101A | T65101A CHIPS QFP | T65101A.pdf | |
![]() | 97-0341 | 97-0341 IR SMD or Through Hole | 97-0341.pdf | |
![]() | ICS9147F-22 | ICS9147F-22 ICS SOP | ICS9147F-22.pdf | |
![]() | NX3225SA-40MHZ-AT-W | NX3225SA-40MHZ-AT-W NDK SMD or Through Hole | NX3225SA-40MHZ-AT-W.pdf | |
![]() | MG600J2YS59 | MG600J2YS59 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG600J2YS59.pdf | |
![]() | AT49BV161411TI | AT49BV161411TI ATMEL TSOP | AT49BV161411TI.pdf | |
![]() | QL16-08 | QL16-08 GUERTE QL | QL16-08.pdf | |
![]() | 12MF80 | 12MF80 IR SMD or Through Hole | 12MF80.pdf | |
![]() | MAAM37000-A1G | MAAM37000-A1G M/A-COM SMD or Through Hole | MAAM37000-A1G.pdf | |
![]() | NTJD4158PT1G | NTJD4158PT1G ON SOT363 | NTJD4158PT1G.pdf | |
![]() | MAX3800UHJG002 | MAX3800UHJG002 MAXIM SMD or Through Hole | MAX3800UHJG002.pdf |