창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7526D1TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7526D1PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | PMD Mosfets Obs 04/Jun/2015 | |
PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | FETKY™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IRF7526D1TRPBFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7526D1TRPBF | |
관련 링크 | IRF7526D, IRF7526D1TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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