창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7416GTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7416GPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 5.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IRF7416GTRPBFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7416GTRPBF | |
관련 링크 | IRF7416, IRF7416GTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
M550B257M100BS | 250µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 100V M55 Module 30 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B257M100BS.pdf | ||
8869450000 | Clip, Hold Down RCM Series | 8869450000.pdf | ||
CRGV2512F475K | RES SMD 475K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F475K.pdf | ||
RCP2512W150RJEA | RES SMD 150 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W150RJEA.pdf | ||
431.750NR | 431.750NR ORIGINAL SMD0603 | 431.750NR.pdf | ||
CHR1048-561M | CHR1048-561M SAGAMI SMD | CHR1048-561M.pdf | ||
ULA2DKZ22.1 | ULA2DKZ22.1 C-CUBE QFP | ULA2DKZ22.1.pdf | ||
PC9S1DG128MFU25 | PC9S1DG128MFU25 Motorola SMD or Through Hole | PC9S1DG128MFU25.pdf | ||
C4304T 222 | C4304T 222 AUK NA | C4304T 222.pdf | ||
MCP6S21-I/S | MCP6S21-I/S N/A SMD or Through Hole | MCP6S21-I/S.pdf | ||
SBJ322513T-202Y-N | SBJ322513T-202Y-N Chilisin EIA1210 | SBJ322513T-202Y-N.pdf | ||
HVC357-13TRF | HVC357-13TRF RENESAS SOD-523 | HVC357-13TRF.pdf |