창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7326D2TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7326D2PbF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 19/Jun/2012 | |
| 카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | FETKY™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 1.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IRF7326D2TRPBFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7326D2TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7326D, IRF7326D2TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMR06F681JPDR | CMR MICA | CMR06F681JPDR.pdf | |
![]() | 61L515-L5-040C | OPTICAL ENCODER | 61L515-L5-040C.pdf | |
![]() | ERT-J1VV683J | NTC Thermistor 68k 0603 (1608 Metric) | ERT-J1VV683J.pdf | |
![]() | AN985BX-BG-T-V1 | AN985BX-BG-T-V1 Infineon PG-LQFP-128 | AN985BX-BG-T-V1.pdf | |
![]() | TIBPAL16L8 | TIBPAL16L8 TI DIP-20 | TIBPAL16L8.pdf | |
![]() | 74HC245D(5.2) | 74HC245D(5.2) NXP SOP-20 | 74HC245D(5.2).pdf | |
![]() | 1643 CC | 1643 CC MURATA SMD or Through Hole | 1643 CC.pdf | |
![]() | DB84902M | DB84902M NS SOP20 | DB84902M.pdf | |
![]() | 2014A | 2014A ORIGINAL TSSOP-16 | 2014A.pdf | |
![]() | VK-105H0443A5 | VK-105H0443A5 HS SMD or Through Hole | VK-105H0443A5.pdf | |
![]() | PCF7341B | PCF7341B NXP TSSOP20 | PCF7341B.pdf |