창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF510SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF510S, SiHF510S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF510SPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF510SPBF | |
관련 링크 | IRF510, IRF510SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
06035A361JAT2A | 360pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A361JAT2A.pdf | ||
ASEMPC-18.432MHZ-LY-T3 | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMPC-18.432MHZ-LY-T3.pdf | ||
HSMS-2808-BLKG | DIODE SCHOTTKY RF QD 70V SOT143 | HSMS-2808-BLKG.pdf | ||
AT0805DRE0712R7L | RES SMD 12.7 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0712R7L.pdf | ||
TNPW06034K12BEEN | RES SMD 4.12KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06034K12BEEN.pdf | ||
B72510T1140S262 | B72510T1140S262 EPCOS SMD-2 | B72510T1140S262.pdf | ||
19.6875MHZ | 19.6875MHZ KOAN HC-49U | 19.6875MHZ.pdf | ||
SCD-1925 | SCD-1925 DICON SMD or Through Hole | SCD-1925.pdf | ||
LT1585 | LT1585 LTC SMD or Through Hole | LT1585.pdf | ||
M29W320DB-70NL6 | M29W320DB-70NL6 ST M29W320DB-70NL6 | M29W320DB-70NL6.pdf | ||
LG8508-23C | LG8508-23C LG SMD or Through Hole | LG8508-23C.pdf | ||
LMC6484J | LMC6484J NS DIP | LMC6484J.pdf |