창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3710LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3710(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3130pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3710LPBF SP001551048 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3710LPBF | |
관련 링크 | IRF371, IRF3710LPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRGV0603F442K | RES SMD 442K OHM 1% 1/10W 0603 | CRGV0603F442K.pdf | |
![]() | G26093331509JLA000 | RES 15 OHM 5% WW | G26093331509JLA000.pdf | |
![]() | TMCSB1C335MTR 16V3.3UF-B | TMCSB1C335MTR 16V3.3UF-B HITACHI SMD or Through Hole | TMCSB1C335MTR 16V3.3UF-B.pdf | |
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![]() | 1810-1066 | 1810-1066 ORIGINAL SOP16S | 1810-1066.pdf | |
![]() | SBT1045 | SBT1045 DTC TO-220AC | SBT1045.pdf | |
![]() | HCF4018BE | HCF4018BE ST DIP-16 | HCF4018BE.pdf | |
![]() | 5P02C6 | 5P02C6 ST SO-8 | 5P02C6.pdf | |
![]() | LTC7453 | LTC7453 LT SOP-16 | LTC7453.pdf | |
![]() | MMBZ5254BW | MMBZ5254BW ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBZ5254BW.pdf | |
![]() | N760087CFK335 | N760087CFK335 TI PLCC | N760087CFK335.pdf |