창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3707ZSTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF3707Z (S,L) PbF | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 07/Aug/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 59A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1210pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SP001563142 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3707ZSTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF3707ZS, IRF3707ZSTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 885012205018 | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 885012205018.pdf | |
![]() | P4KE56CA-E3/54 | TVS DIODE 47.8VWM 77VC AXIAL | P4KE56CA-E3/54.pdf | |
![]() | F3SJ-A0860P25 | F3SJ-A0860P25 | F3SJ-A0860P25.pdf | |
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![]() | CE-0936 | CE-0936 TDK SMD or Through Hole | CE-0936.pdf | |
![]() | EPM7064STC44-10W | EPM7064STC44-10W ALTRA QFP44 | EPM7064STC44-10W.pdf | |
![]() | UPD85900S1-001-F6/UK | UPD85900S1-001-F6/UK NEC BGA | UPD85900S1-001-F6/UK.pdf | |
![]() | LM2596SX-3.3* | LM2596SX-3.3* NSC TO-263 | LM2596SX-3.3*.pdf |