창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3415PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3415PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF3415PBF Saber Model IRF3415PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3415PBF 64-0006PBF 64-0006PBF-ND SP001564438 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3415PBF | |
관련 링크 | IRF341, IRF3415PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
4470R-39G | 1.5mH Unshielded Molded Inductor 130mA 29 Ohm Max Axial | 4470R-39G.pdf | ||
CRCW2010300KJNEF | RES SMD 300K OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW2010300KJNEF.pdf | ||
DSBT2-12V | DSBT2-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | DSBT2-12V.pdf | ||
UCN5812EPFTR | UCN5812EPFTR UCN PLCC28 | UCN5812EPFTR.pdf | ||
982-1C-F-24V | 982-1C-F-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | 982-1C-F-24V.pdf | ||
SPL146-0R4 | SPL146-0R4 AELTA SMD or Through Hole | SPL146-0R4.pdf | ||
TSC802514G2D-24CB | TSC802514G2D-24CB ATMEL PLCC | TSC802514G2D-24CB.pdf | ||
ST727251G2M6 | ST727251G2M6 ST SOP | ST727251G2M6.pdf | ||
CB10YTYH600 | CB10YTYH600 Stackpole SMD | CB10YTYH600.pdf | ||
PV1010UDF8B | PV1010UDF8B KEC UDFN-8B | PV1010UDF8B.pdf | ||
M58101-173SP | M58101-173SP MIT DIP | M58101-173SP.pdf | ||
SRF397 | SRF397 MOT CAN3 | SRF397.pdf |