창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF2807ZSTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF2807Z(S,L) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 53A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF2807ZSTRL | |
| 관련 링크 | IRF2807, IRF2807ZSTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-12NG3S | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-12NG3S.pdf | |
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![]() | RCP2512B1K00JET | RES SMD 1K OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B1K00JET.pdf | |
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![]() | A1A080C00001010000 | A1A080C00001010000 N/A SMD | A1A080C00001010000.pdf | |
![]() | PIC10F222-E/OT | PIC10F222-E/OT Microchip SMD or Through Hole | PIC10F222-E/OT.pdf | |
![]() | 17393A | 17393A ORIGINAL DIP | 17393A.pdf | |
![]() | SLF10155T-220M2R5-TPF | SLF10155T-220M2R5-TPF ORIGINAL SMD or Through Hole | SLF10155T-220M2R5-TPF.pdf | |
![]() | EP2C8F256C7NK | EP2C8F256C7NK ALTERA QFP | EP2C8F256C7NK.pdf | |
![]() | SN65HVD58D | SN65HVD58D TI SOP-14 | SN65HVD58D.pdf | |
![]() | RN5T649V | RN5T649V RICOH QFN | RN5T649V.pdf |