창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1407PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1407PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF1407PBF Saber Model IRF1407PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 78A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1407PBF SP001564238 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1407PBF | |
| 관련 링크 | IRF140, IRF1407PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F374XXCSR | 37.4MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374XXCSR.pdf | |
![]() | GW KAGLB2.CM-SSST-30S3 | SOLERIQ S 13 3000K | GW KAGLB2.CM-SSST-30S3.pdf | |
![]() | CRCW1206806RFKEA | RES SMD 806 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206806RFKEA.pdf | |
![]() | E3ZM-T61H 5M | THRU-BEAM 15M NPN TR CBL 5M | E3ZM-T61H 5M.pdf | |
![]() | TZB4R500DA10B00 | TZB4R500DA10B00 MURATA SMD or Through Hole | TZB4R500DA10B00.pdf | |
![]() | OQ224D | OQ224D S/PHI CDIP | OQ224D.pdf | |
![]() | M083AB1 | M083AB1 SGS DIP | M083AB1.pdf | |
![]() | 74ABT162841 | 74ABT162841 TI SSMD | 74ABT162841.pdf | |
![]() | STT60GK16B | STT60GK16B Sirectifier SMD or Through Hole | STT60GK16B.pdf | |
![]() | SD1131 | SD1131 MSC CAN3 | SD1131.pdf | |
![]() | L5010AMH | L5010AMH NS SMD or Through Hole | L5010AMH.pdf |