창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R125P6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 960µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 219W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001114648 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R125P6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP60R125, IPP60R125P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CB3JBR390 | RES .39 OHM 3W 5% CERAMIC WW | CB3JBR390.pdf | |
![]() | CY14E064L-SZ25XCT | CY14E064L-SZ25XCT CYPRESS SOP28 | CY14E064L-SZ25XCT.pdf | |
![]() | SABP-C167CR-16RM | SABP-C167CR-16RM INFINEON QFP | SABP-C167CR-16RM.pdf | |
![]() | 899-5-R330/390 | 899-5-R330/390 BI DIP | 899-5-R330/390.pdf | |
![]() | 0510-4R7K | 0510-4R7K LY DIP | 0510-4R7K.pdf | |
![]() | LT12006+65 | LT12006+65 LINEARTECH SOP16 | LT12006+65.pdf | |
![]() | SI3457BDV-T1-E TEL:82766440 | SI3457BDV-T1-E TEL:82766440 VISHAY SMD or Through Hole | SI3457BDV-T1-E TEL:82766440.pdf | |
![]() | SJM302BCA | SJM302BCA INTERSIL CDIP | SJM302BCA.pdf | |
![]() | VSKT26/12P | VSKT26/12P VISHAY SMD or Through Hole | VSKT26/12P.pdf | |
![]() | FDB10AN06A0 | FDB10AN06A0 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDB10AN06A0 .pdf | |
![]() | BL59A66/PDIP | BL59A66/PDIP BL PDIP16 | BL59A66/PDIP.pdf | |
![]() | LP3883ESX-1.2 | LP3883ESX-1.2 NSC SMD or Through Hole | LP3883ESX-1.2.pdf |