창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R074C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP60R074C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 74m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 138nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3020pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 480.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000898652 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R074C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP60R074, IPP60R074C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ELG-TEA4R7NA | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 800mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | ELG-TEA4R7NA.pdf | |
![]() | RT1206CRC0769K8L | RES SMD 69.8KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0769K8L.pdf | |
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![]() | 6MBI100FC-060-01 | 6MBI100FC-060-01 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI100FC-060-01.pdf | |
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![]() | R1160D151A-TR | R1160D151A-TR RICOH SMD or Through Hole | R1160D151A-TR.pdf | |
![]() | 193-A4K4 | 193-A4K4 AB SMD or Through Hole | 193-A4K4.pdf | |
![]() | MBM100474A-7CZ | MBM100474A-7CZ FUJITSU SMD or Through Hole | MBM100474A-7CZ.pdf | |
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