창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP600N25N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx600N25N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP600N25N3G IPP600N25N3GXKSA1 SP000677832 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP600N25N3 G | |
관련 링크 | IPP600N, IPP600N25N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B41866C8687M000 | 680µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 66 mOhm @ 100kHz 5000 Hrs @ 125°C | B41866C8687M000.pdf | |
![]() | CMF551M5000DHEA | RES 1.5M OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551M5000DHEA.pdf | |
![]() | D75116H | D75116H NEC QFP | D75116H.pdf | |
![]() | PZM18NB1 18V | PZM18NB1 18V ORIGINAL SOT-23 | PZM18NB1 18V.pdf | |
![]() | 3W5D1 | 3W5D1 CY SMD or Through Hole | 3W5D1.pdf | |
![]() | 15304911 | 15304911 Delphi SMD or Through Hole | 15304911.pdf | |
![]() | XPC860TZP50B3 D/C02 | XPC860TZP50B3 D/C02 FUJI SMD or Through Hole | XPC860TZP50B3 D/C02.pdf | |
![]() | PIC16F87T-I/SO | PIC16F87T-I/SO MICRON SOP-18 | PIC16F87T-I/SO.pdf | |
![]() | LQH55DN221M03 | LQH55DN221M03 MURATA SMD or Through Hole | LQH55DN221M03.pdf | |
![]() | WGA4032 | WGA4032 PLL-II DIP-16 | WGA4032.pdf | |
![]() | K5D5657ACA-DO90 | K5D5657ACA-DO90 SAMSUNG BGA | K5D5657ACA-DO90.pdf | |
![]() | 78F9842 | 78F9842 ORIGINAL QFP | 78F9842.pdf |