창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP47N10SL26AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx47N10SL-26 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP47N10SL-26 IPP47N10SL-26-ND IPP47N10SL26 SP000225707 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP47N10SL26AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP47N10SL, IPP47N10SL26AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1210-0.22R-5% | 1210-0.22R-5% YAGEO 1210 | 1210-0.22R-5%.pdf | |
![]() | M1621 AO | M1621 AO ALI BGA | M1621 AO.pdf | |
![]() | TMS320C80GGP50 | TMS320C80GGP50 TI BGA | TMS320C80GGP50.pdf | |
![]() | AF116M157502-T | AF116M157502-T TAIYO SMD | AF116M157502-T.pdf | |
![]() | G1051 | G1051 N/A TSSOP | G1051.pdf | |
![]() | HC4075M | HC4075M NA SMD or Through Hole | HC4075M.pdf | |
![]() | 20ETF06SPBF | 20ETF06SPBF IR TO-263 | 20ETF06SPBF.pdf | |
![]() | UPD6461GS-928 | UPD6461GS-928 NEC SOP | UPD6461GS-928.pdf | |
![]() | R5F35L3EKFF | R5F35L3EKFF Renesas SMD or Through Hole | R5F35L3EKFF.pdf | |
![]() | TLRE180A | TLRE180A TOSHIBA ROHS | TLRE180A.pdf | |
![]() | SC80C31ACCN40 | SC80C31ACCN40 ORIGINAL DIP | SC80C31ACCN40.pdf | |
![]() | UPD93176GC-3BH | UPD93176GC-3BH NEC QFP | UPD93176GC-3BH.pdf |