창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N10S405AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N10S4-05 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001102616 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N10S405AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N10S, IPP120N10S405AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | AST3TQ53-V-19.440MHZ-1-SW-T5 | 19.44MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-V-19.440MHZ-1-SW-T5.pdf | |
![]() | RAM1 | RAM1 MINI TO-86 | RAM1.pdf | |
![]() | UPD78011BCW(A)-311 | UPD78011BCW(A)-311 NEC SMD or Through Hole | UPD78011BCW(A)-311.pdf | |
![]() | UPD784036YGC-802-8BT | UPD784036YGC-802-8BT NEC QFP | UPD784036YGC-802-8BT.pdf | |
![]() | TNY208PN | TNY208PN ORIGINAL SMD or Through Hole | TNY208PN.pdf | |
![]() | MTV312MN64 | MTV312MN64 MYSON DIP | MTV312MN64.pdf | |
![]() | DLY3 | DLY3 N/A SOP-8 | DLY3.pdf | |
![]() | S3F84BBXZO-TWR8 | S3F84BBXZO-TWR8 SAMSUNG 80TQFP | S3F84BBXZO-TWR8.pdf | |
![]() | DK1AE-5V/DC5V | DK1AE-5V/DC5V AROMAT/ SMD or Through Hole | DK1AE-5V/DC5V.pdf | |
![]() | TD285N18KOF | TD285N18KOF EUPEC SMD or Through Hole | TD285N18KOF.pdf | |
![]() | NJM2214M | NJM2214M NEWJAPANRADIOCOLTD SMD or Through Hole | NJM2214M.pdf | |
![]() | PS9831 | PS9831 PULSUS TQFP | PS9831.pdf |