창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx097,100N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 46µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2410pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N08N3 G IPP100N08N3 G-ND IPP100N08N3G SP000680856 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N08N, IPP100N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MKP385613016JPI2T0 | 13µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385613016JPI2T0.pdf | |
![]() | CD5FA201JO3F | 200pF Mica Capacitor 100V Radial 0.272" L x 0.189" W (6.90mm x 4.80mm) | CD5FA201JO3F.pdf | |
![]() | FWC-16A10F | FUSE CARTRIDGE 16A 600VAC/700VDC | FWC-16A10F.pdf | |
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![]() | T492A104M035BS | T492A104M035BS KEMET SMD | T492A104M035BS.pdf | |
![]() | C3622A | C3622A NEC TO-92 | C3622A.pdf | |
![]() | P80652FBA | P80652FBA ORIGINAL SMD or Through Hole | P80652FBA.pdf | |
![]() | XC2100E-03PR | XC2100E-03PR Anaren SMD or Through Hole | XC2100E-03PR.pdf | |
![]() | DD241S16 | DD241S16 SANREX SMD or Through Hole | DD241S16.pdf | |
![]() | 232-1271-00-1102JH | 232-1271-00-1102JH M SMD or Through Hole | 232-1271-00-1102JH.pdf | |
![]() | 33.3333M | 33.3333M SG SOJ-4 | 33.3333M.pdf |