창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP032N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP032N06N3 G IPP032N06N3 G-ND IPP032N06N3G SP000680770 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP032N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP032N06N, IPP032N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 600L3R6BT200T | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 600L3R6BT200T.pdf | |
![]() | 4SSA1C2543 | 4SSA1C2543 BOSCH PLCC28 | 4SSA1C2543.pdf | |
![]() | 09200009928+ | 09200009928+ HARTIN SMD or Through Hole | 09200009928+.pdf | |
![]() | SS857 | SS857 ORIGINAL SMD-56 | SS857.pdf | |
![]() | UP6282AQDD | UP6282AQDD UPI QFN16 | UP6282AQDD.pdf | |
![]() | E70F8 | E70F8 ORIGINAL DIP | E70F8.pdf | |
![]() | AD2701SD/LD | AD2701SD/LD ORIGINAL DIP14 | AD2701SD/LD.pdf | |
![]() | CAY16221J4 | CAY16221J4 BOURNS SMD or Through Hole | CAY16221J4.pdf | |
![]() | TPO137/A(3,072) | TPO137/A(3,072) PBA SMD or Through Hole | TPO137/A(3,072).pdf | |
![]() | 10CE33LX | 10CE33LX SANYO/ SMD-2 | 10CE33LX.pdf | |
![]() | TDA12017H/N1BOBOB6 | TDA12017H/N1BOBOB6 PHILIPS SMD or Through Hole | TDA12017H/N1BOBOB6.pdf |