창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S207AKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001067874 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80N06S207AKSA2 | |
| 관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S207AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3808AI-C3-33EH-22.156250Y | OSC XO 3.3V 22.15625MHZ OE | SIT3808AI-C3-33EH-22.156250Y.pdf | |
![]() | HVS0805-1GK1 | RES SMD 1G OHM 10% 1/8W 0805 | HVS0805-1GK1.pdf | |
![]() | RNV14FAL1M00 | RES MF HV .25W 1M OHM 1% AXIAL | RNV14FAL1M00.pdf | |
![]() | MB672509U | MB672509U FUJI SMD or Through Hole | MB672509U.pdf | |
![]() | 272422Q | 272422Q JAPAN DIP | 272422Q.pdf | |
![]() | RM3383 RM31383 | RM3383 RM31383 YC SMD4 | RM3383 RM31383.pdf | |
![]() | 1N1558 | 1N1558 ORIGINAL DIP | 1N1558.pdf | |
![]() | TRF3750IRGPRG4 | TRF3750IRGPRG4 ORIGINAL DIPSMD | TRF3750IRGPRG4.pdf | |
![]() | 38FMN-BMTTR-TB | 38FMN-BMTTR-TB JST SMD or Through Hole | 38FMN-BMTTR-TB.pdf | |
![]() | MPC1722V | MPC1722V MOT SSOP | MPC1722V.pdf | |
![]() | MBM29LV650UE-90NC | MBM29LV650UE-90NC FUJI TSSOP48 | MBM29LV650UE-90NC.pdf | |
![]() | PEB22822F2.2 | PEB22822F2.2 Infineon QFP | PEB22822F2.2.pdf |