창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S207AKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001067874 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI80N06S207AKSA2 | |
| 관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S207AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SG-210STF 33.3330ML0 | 33.333MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 2.2mA Standby (Power Down) | SG-210STF 33.3330ML0.pdf | |
![]() | CP0010820R0JB14 | RES 820 OHM 10W 5% AXIAL | CP0010820R0JB14.pdf | |
![]() | MB623225K00 | MB623225K00 FUJITSU SMD or Through Hole | MB623225K00.pdf | |
![]() | 3P7048DZZ-QIR8 | 3P7048DZZ-QIR8 SAM SMD or Through Hole | 3P7048DZZ-QIR8.pdf | |
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![]() | 9043BIP | 9043BIP SMSC SMD or Through Hole | 9043BIP.pdf | |
![]() | APT5014LVRG | APT5014LVRG APT 1TO-264 | APT5014LVRG.pdf | |
![]() | KN2222AT | KN2222AT ORIGINAL SMD or Through Hole | KN2222AT.pdf | |
![]() | HP32G271MCZS3WPEC | HP32G271MCZS3WPEC HITACHI SMD or Through Hole | HP32G271MCZS3WPEC.pdf | |
![]() | 25MXC22000M35X30 | 25MXC22000M35X30 RUBYCON DIP | 25MXC22000M35X30.pdf |