창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2-07 IPI80N06S2-07-ND SP000218817 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RC1206JR-07270KL | RES SMD 270K OHM 5% 1/4W 1206 | RC1206JR-07270KL.pdf | ||
PLTT0805Z2261QGT5 | RES SMD 2.26KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z2261QGT5.pdf | ||
ESME160ELL102MJ20S | ESME160ELL102MJ20S NIPPONCHEMI-CON SMD or Through Hole | ESME160ELL102MJ20S.pdf | ||
LM565 | LM565 NS DIP14 | LM565.pdf | ||
AS1901C31Z | AS1901C31Z AUSTRIA SOT23-3 | AS1901C31Z.pdf | ||
TL331IDBVRQ1 | TL331IDBVRQ1 TI SOT23-5 | TL331IDBVRQ1.pdf | ||
CDD600N12PT | CDD600N12PT CATELEC SMD or Through Hole | CDD600N12PT.pdf | ||
HD74HC04P(ROHS) | HD74HC04P(ROHS) HIT DIP | HD74HC04P(ROHS).pdf | ||
BQ4013YMA-120N | BQ4013YMA-120N TI DIP | BQ4013YMA-120N.pdf | ||
A22FB9940 | A22FB9940 ORIGINAL BGA | A22FB9940.pdf | ||
2SD787E | 2SD787E HITACHI TO-92L | 2SD787E.pdf | ||
IRFR820 | IRFR820 IR SOT252 | IRFR820.pdf |