창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2-07 IPI80N06S2-07-ND SP000218817 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RCL12250000Z0EG | RES SMD 0.0 OHM 2W 2512 WIDE | RCL12250000Z0EG.pdf | ||
RG2012P-1622-D-T5 | RES SMD 16.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1622-D-T5.pdf | ||
RSF12GB2K20 | RES MO 1/2W 2.2K OHM 2% AXIAL | RSF12GB2K20.pdf | ||
97-0280A | 97-0280A IR SMD or Through Hole | 97-0280A.pdf | ||
SW-162-PIN | SW-162-PIN M/A-COM SMD or Through Hole | SW-162-PIN.pdf | ||
DESI462 | DESI462 NS QFP | DESI462.pdf | ||
PTLS24M508 | PTLS24M508 ORIGINAL TSOP | PTLS24M508.pdf | ||
200W40RJ | 200W40RJ LR SMD or Through Hole | 200W40RJ.pdf | ||
ELJ-RG12NJF | ELJ-RG12NJF PANASONIC SMD | ELJ-RG12NJF.pdf | ||
PPCI7412 | PPCI7412 TEXAS BGA | PPCI7412.pdf | ||
GRP1555C1H270JZ01E | GRP1555C1H270JZ01E MURATA PBFree | GRP1555C1H270JZ01E.pdf |