Infineon Technologies IPI65R099C6XKSA1

IPI65R099C6XKSA1
제조업체 부품 번호
IPI65R099C6XKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
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내부 부품 번호EIS-IPI65R099C6XKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx65R099C6
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C38A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs99m옴 @ 12.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 1.2mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs127nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2780pF @ 100V
전력 - 최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지PG-TO262-3-1
표준 포장 500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPI65R099C6XKSA1
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