창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI50R299CPXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPI50R299CP | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI50R299CP IPI50R299CP-ND SP000523748 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI50R299CPXKSA1 | |
관련 링크 | IPI50R299, IPI50R299CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | RVG4H01C-473VM-TK | RVG4H01C-473VM-TK MuRata SMD | RVG4H01C-473VM-TK.pdf | |
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![]() | CS43L22CNZR | CS43L22CNZR CIRRUS QFN | CS43L22CNZR.pdf | |
![]() | T1E1-5/3435AA0095 | T1E1-5/3435AA0095 DIALOG SMD or Through Hole | T1E1-5/3435AA0095.pdf | |
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