Infineon Technologies IPD30N03S4L-09
- 제조업체 부품 번호
- IPD30N03S4L-09
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPD30N03S4L-09 가격 및 조달
가능 수량
38550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 213.79438
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPD30N03S4L-09 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPD30N03S4L-09 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPD30N03S4L-09가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPD30N03S4L-09 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD30N03S4L-09 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD30N03S4L-09 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD30N03S4L-09 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 13µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD30N03S4L-09-ND IPD30N03S4L-09INTR IPD30N03S4L09 IPD30N03S4L09ATMA1 SP000415578 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD30N03S4L-09 | |
| 관련 링크 | IPD30N03, IPD30N03S4L-09 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPD30N03S4L-09 의 관련 제품
 | GRM42A5C3F180JW01L | 18pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.177" L x 0.079" W(4.50mm x 2.00mm) | GRM42A5C3F180JW01L.pdf | |
 | 744851016 | Shielded 2 Coil Inductor Array 640nH Inductance - Connected in Series 160nH Inductance - Connected in Parallel 4.4 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 13.8A Nonstandard | 744851016.pdf | |
 | PM74SH-120M-RC | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 50 mOhm Max Nonstandard | PM74SH-120M-RC.pdf | |
| TCFGP1A335M8R | TCFGP1A335M8R ROHM SMD or Through Hole | TCFGP1A335M8R.pdf | |
| CXK77910ATM-10 | CXK77910ATM-10 SONY SOP | CXK77910ATM-10.pdf | |
| S5063M1R00B1F-0405 | S5063M1R00B1F-0405 YAGEO DIP | S5063M1R00B1F-0405.pdf | |
| ET-RF5050RGBN32-F5 | ET-RF5050RGBN32-F5 ETN SMD or Through Hole | ET-RF5050RGBN32-F5.pdf | |
| S1D13A04B00B20B | S1D13A04B00B20B EPSON TQFP | S1D13A04B00B20B.pdf | |
| KME35VB47RM6X11LL | KME35VB47RM6X11LL UCC DIP | KME35VB47RM6X11LL.pdf | |
| FDS3992-NL+ | FDS3992-NL+ ORIGINAL SMD | FDS3992-NL+.pdf | |
| 152M1KV | 152M1KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 152M1KV.pdf | |
| PRD-70156-1 | PRD-70156-1 Tyco con | PRD-70156-1.pdf |